삼성전자 파운드리 사업 기술 로드맵 공개

삼성전자

삼성전자 파운드리 사업의 기술 로드맵을 목요일에 공개했는데, 삼성전자는 파운드리 사업의 역량 향상과 계약 칩 제조 분야의 첨단 제조 솔루션을 약속했기 때문이다.

‘한 차원 더하기’를 주제로 온라인에서 열린 삼성 파운드리 포럼 2021에서 국내 반도체 제조사가 미래 기술 노드와 운영, 서비스에 대한 계획을 밝혔다.

대만반도체제조(TSMC)에 이어 세계 2위의 파운드리 업체인 삼성은 우선 2022년 상반기 3나노미터(nm) 공정에 게이트 만능(GAA) 기술을 배치할 계획이라고 밝혔다.

강남룸살롱 안마

GAA는 게이트가 채널의 4면 모두를 감싸는 변형 트랜지스터 구조를 가리켜 전류 흐름을 보다 잘 제어하고 추가적인 스케일링을 한다.적은 가동력으로 상당한 성능 향상을 가능하게 한다.

삼성전자는 또 2023년에는 2세대 3nm 공정, 2025년에는 GAA 기반 2nm 공정 등을 활용해 칩을 대량 생산할 계획이라고 밝혔다.

삼성전자 현재 3nm 공정 노드가 양산 궤도에 오르고 있으며 안정적인 수율 확보에 주력하고 있다고 덧붙였다.

삼성전자는 자사의 멀티 브릿지 채널 FET(MBCFET) 아키텍처가 적용된 3nm 공정은 핀펫 아키텍처가 적용된

5nm 공정 대비 전력 소비량이 50%, 성능이 30% 향상돼 칩 면적이 최대 35% 감소할 수 있을 것이라고 밝혔다.

삼성은 이번 포럼에서 보다 비용 효율적이고 적용 가능한 제품을 제공하기 위한 목적으로 업그레이드된 핀펫 기반의 17nm 공정도 소개했다.

핀펫(FinFET) 또는 핀 전계효과 트랜지스터는 3D 구조를 가진 트랜지스터를 말한다.FinFETs에서는 채널의 3면이 게이트 전극으로 둘러싸여 있다.

삼성은 이번 17nm 공정으로 칩 면적을 43% 줄이고 에너지 효율을 49% 향상시키며 28nm 공정 대비 성능을 39% 높일 수 있다고 밝혔다.

업그레이드된 17nm 공정은 28nm 공정을 주로 사용하는 이미지센서, 모바일 디스플레이 집적회로 등의 제품에도 적용될 수 있다고 회사 측은 밝혔다.

삼성은 기존 14nm 노드를 마이크로컨트롤러에 적용하기 위한 다양한 옵션도 마련할 계획이라고 밝혔다.

8nm 공정 기반 무선주파수 기술과 관련해선 특히 6GHz 이하와 mmWave 스펙트럼을 지원하는 제품을 중심으로

5G 통신 칩 시장에서 주도권을 확보하는 것이 목표라고 밝혔다.

경제뉴스

한편 세계 최대 메모리 칩 공급사인 삼성은 11월에 삼성 어드밴스트 파운드리 에코시스템(SAFE) 포럼을 개최해 파트너 및 고객사와의 관계를 강화하겠다고 밝혔다.